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    而且，EUV技术，也是东华国内半导体制作技术，实现弯道超车的机会，超越国际的难得机会。

    在传统工艺上，东华已经难以超过西方了，即便是超过，也马上就要过时，只能用来生产低级芯片。

    东华在上个世纪九十年代，就开始进行EUV相关方面的研究。

    2002年，研制出国内第一套EUV极紫外光刻原理装置。

    2008年，在中科院的主导下，已经多家高校和科研机构参与到研究中，

    2017年，EUV极紫外光刻关键技术研究，已经到了最后攻关阶段，即将进行项目验收。

    实际上，这个时候，单纯的在EUV的光刻机技术上，是东华和国际最近的一次，已经几乎在同一代以内了。

    而且关键是，但凡国内搞技术攻关，必然是要做一整套的技术。

    包括生产过程中用的各种材料与设备，都会进行整体的技术攻关，因为不自己弄，其他的设备和工艺，没有人会卖给你。

    而ASML则可以在不同的国家，采购最好的材料。

    前景看似很好，但是和ASML一样，仍然无法量产，国内的EUV，比国外更难量产，因为配套体系跟不上，需要整体研发。

    在这样的背景下，intel给星辰半导体的7nm晶圆工厂图纸和技术，仍然还是半成品，而且有多套不成熟的备用方案。

    关于实现7nm，到底是不是必须用EUV技术？EUV技术，能不能赶上7nm的量产？intel自己也没底。

    所以如果按照intel的图纸来的话，工厂建设都最后，必然会转入实验阶段，传统工艺和EUV都要进行测试，而不是直接量产，intel自己也是一样。

    不过经过星辰的修改之后，这份图纸，已经是完善、成熟、而且确定的了。

    星辰随手把EUV难产的问题，给解决了。

    工厂建设所需要的设备，已经包括了EUV设备，而且国产的和ASML都有。

    主要这东西产能实在太低，ASML一年出货量就只有12台，国内的产能更低，为了提高以后工厂的产量和规模，能多买一个就多买一个。
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